2026年1月16日，天域半导体（02658.HK）及青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司（以下简称“青禾晶元”）签订战略合作协议。双方同意建立战略合作，凭借天域半导体在碳化硅材料领域的优势及青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力，共同开展键合材料（包括键合碳化硅（bonded SiC）、绝缘体上硅（SOI）、绝缘体上压电基板（POI）、超大尺寸（12英寸及以上）SiC复合散热基板）的工艺开发与技术迭代。

双方约定，天域半导体将开展bonded SiC、SOI、POI、12英寸SiC复合散热基板及中介层等键合材料的工艺开发和量产导入。青禾晶元将向天域提供离子注入、晶圆级键合、精密抛光、晶体修复及剥离等装备与相关技术支持。此次合作将充分发挥天域半导体在碳化硅材料的优势，以及青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力，有望提升天域半导体在键合材料领域的技术实力，进一步巩固市场地位。

这次合作不仅是一次技术层面的联合，更是天域半导体在产业趋势中的一次战略性探索。近年来，全球半导体行业的竞争焦点逐渐从传统硅材料转向碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料。随着新能源汽车、光伏发电、5G通信等产业的快速发展，对高性能功率器件的需求不断提升，而这些器件的核心材料正是碳化硅与相关复合基板。天域半导体与青禾晶元的合作，正是顺应这一趋势的体现。

键合技术是一种把不同材料牢固结合在一起的工艺，它正在成为推动新一代芯片性能提升的关键。典型的应用之一是 SOI（绝缘体上硅），这种“三明治”结构能减少漏电流和寄生电容，让芯片更快、更省电、更耐辐射，广泛应用于人工智能、5G通信、汽车电子和航空航天。另一类是 POI（绝缘体上压电基板），在声学和光学器件中发挥作用，如噪声监测、TWS耳机主动降噪、医学成像和高分辨率显示。还有Bonded SiC（键合碳化硅），优势显著：一是大幅提升高质量碳化硅单晶利用率，一片标准厚度单晶抛光片可制造50片以上键合抛光片；二是降低功率器件导通电阻，优化电学性能。更令人期待的是，键合技术可能成为碳化硅散热基板的关键工艺，解决AI芯片的散热瓶颈。台积电、英伟达等公司已在探索这一方向，未来或催生千万片级的市场需求。面向多元场景，天域半导体已在金刚石、GaN、AlN等前沿材料上实现键合晶片，进一步拓展了技术边界。

展望未来，天域半导体将继续围绕技术创新与产业升级展开，在保持碳化硅外延片优势的同时，积极探索更广泛的材料应用与解决方案。随着与青禾晶元合作的深入推进，天域半导体有望在先进键合材料领域形成新的技术高地，推动产业链的整体升级，为中国半导体材料产业的发展提供有力示范。